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| Fra gate è source è dunque presente una giunzione //pn// che, nel normale funzionamento del JFET, deve essere polarizzata inversamente (V<sub>GS</sub> ≤ 0). | Fra gate è source è dunque presente una giunzione //pn// che, nel normale funzionamento del JFET, deve essere polarizzata inversamente (V<sub>GS</sub> ≤ 0). |
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| Per comprendere il funzionamento del JFET supponiamo inizialmente che V<sub>GS</sub> sia zero. Se applichiamo una tensione V<sub>DS</sub> tra drain e source circolerà una corrente I<sub>D</sub> nel canale. Aumentando la V<sub>DS</sub> la corrente I<sub>D</sub> aumenta e il comportamento del JFET è resistivo. Tuttavia si verifica un altro fenomeno: nel canale si forma una zona di svuotamento (grigia in figura) dovuta alla polarizzazione inversa della giunzione, più pronunciata dal lato del drain e con un estensione crescente al crescere di V<sub>DS</sub>. La zona di svuotamento restringe il canale attraverso cui circola la I<sub>D</sub> e oltre una certa soglia di V<sub>DS</sub> si verifica lo **strozzamento** del canale (//pinch-off//) che impedisce alla corrente di aumentare; il JFET è in saturazione. Quando è presente una V<sub>GS</sub> (negativa) la zona di svuotamento si forma anche con V<sub>DS</sub> = 0 con la conseguenza che il JFET offre maggiore resistenza ed entra in saturazione prima. | Per comprendere il funzionamento del JFET supponiamo inizialmente che V<sub>GS</sub> sia zero. Se applichiamo una tensione V<sub>DS</sub> tra drain e source circolerà una corrente I<sub>D</sub> nel canale. Aumentando la V<sub>DS</sub> la corrente I<sub>D</sub> aumenta e il comportamento del JFET è resistivo. Tuttavia si verifica un altro fenomeno: nel canale si forma una zona di svuotamento (grigia in figura) dovuta alla polarizzazione inversa della giunzione, più pronunciata dal lato del drain e con un estensione crescente al crescere di V<sub>DS</sub> (gate e source sono allo stesso potenziale). La zona di svuotamento restringe il canale attraverso cui circola la I<sub>D</sub> e oltre una certa soglia di V<sub>DS</sub> si verifica lo **strozzamento** del canale (//pinch-off//) che impedisce alla corrente di aumentare; il JFET è in saturazione. Quando è presente una V<sub>GS</sub> (negativa) la zona di svuotamento si forma anche con V<sub>DS</sub> = 0 con la conseguenza che il JFET offre maggiore resistenza ed entra in saturazione prima. |
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| ==== Caratteristiche ==== | ==== Caratteristiche ==== |
| * è presente un'intera famiglia di caratteristiche dipendenti dal valore di V<sub>GS</sub> | * è presente un'intera famiglia di caratteristiche dipendenti dal valore di V<sub>GS</sub> |
| * la saturazione del JFET, indicata dalla linea tratteggiata, avviene per valori via via minori di V<sub>DS</sub> all'aumentare (in modulo) di V<sub>GS</sub> | * la saturazione del JFET, indicata dalla linea tratteggiata, avviene per valori via via minori di V<sub>DS</sub> all'aumentare (in modulo) di V<sub>GS</sub> |
| * a sinistra del tratteggio è presente una **zona resistiva** dove il JFET si comporta da resistenza variabile il cui valore dipende dalla tensione V<sub>GS</sub> (si veda la figura sotto che rappresenta un ingrandimento della caratteristica nell'origine) | * a sinistra del tratteggio è presente una **zona resistiva**((nei FET è anche detta zona lineare perché la I<sub>D</sub> è proporzionale a V<sub>DS</sub>)) dove il JFET si comporta da resistenza variabile il cui valore dipende dalla tensione V<sub>GS</sub> (si veda la figura sotto che rappresenta un ingrandimento della caratteristica nell'origine) |
| * a destra di V<sub>P</sub> si trova la **zona di saturazione** a **corrente costante** dove il valore di I<sub>D</sub> dipende da V<sub>GS</sub> e non da V<sub>DS</sub> (**NB** nei BJT la saturazione è tutt'altra cosa!((qui si intende che I<sub>D</sub> non aumenta più al crescere di V<sub>DS</sub>, nei BJT che la I<sub>C</sub> non aumenta più al crescere di I<sub>B</sub>)) ) | * a destra di V<sub>P</sub> si trova la **zona di saturazione** a **corrente costante** dove il valore di I<sub>D</sub> dipende da V<sub>GS</sub> e non da V<sub>DS</sub> (**NB** nei BJT la saturazione è tutt'altra cosa!((qui si intende che I<sub>D</sub> non aumenta più al crescere di V<sub>DS</sub>, nei BJT che la I<sub>C</sub> non aumenta più al crescere di I<sub>B</sub>)) ) |
| * per valori sufficientemente elevati di V<sub>GS</sub> lo strozzamento avviene già a V<sub>DS</sub> = 0 e non può circolare corrente; il JFET è **interdetto** | * per valori sufficientemente elevati di V<sub>GS</sub> lo strozzamento avviene già a V<sub>DS</sub> = 0 e non può circolare corrente; il JFET è **interdetto** |
