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Gli **IGBT** (//insulated gate bipolar transistor//) sono un particolare tipo di transistor che combina un MOSFET in ingresso e un BJT in uscita. Questa soluzione sta soppiantando le precedenti tecnologie nelle applicazioni in commutazione per potenze medio-alte (inverter, alimentatori) perché offre sia i vantaggi dei BJT (tensioni di lavoro elevate e bassa V<sub>CE</sub>) che quelli dei MOSFET (alta impedenza di ingresso e facilità di pilotaggio). | Gli **IGBT** (//insulated gate bipolar transistor//) sono un particolare tipo di transistor che combina un MOSFET in ingresso e un BJT in uscita. Questa soluzione sta soppiantando le precedenti tecnologie nelle applicazioni in commutazione per potenze medio-alte (inverter, alimentatori) perché offre sia i vantaggi dei BJT (tensioni di lavoro elevate e bassa V<sub>CE</sub>) che quelli dei MOSFET (alta impedenza di ingresso e facilità di pilotaggio). |
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| Vedi anche: |
| * [[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-6/igbts/|pagina di All About Circuits]] sugli IGBT e l'interessante confronto con BJT e MOS |
| * [[https://www.vincenzov.net/tutorial/elettronica-di-potenza/IGBT.htm|questa]] e [[https://www.vincenzov.net/tutorial/elettronica-di-potenza/IGBT-reale.htm|questa]] pagina del sito di Vincenzo Villa sugli IGBT e il loro pilotaggio (vedere anche il [[https://www.vincenzov.net/datasheet/STGE200NB60S.pdf|datasheet]] dell'IGBT di cui si parla) |
===== Tiristori ===== | ===== Tiristori ===== |
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* una resistenza posta tra DIAC e gate del TRIAC migliora le prestazioni (limita la corrente e prolunga l'impulso di corrente per avere un innesco certo) | * una resistenza posta tra DIAC e gate del TRIAC migliora le prestazioni (limita la corrente e prolunga l'impulso di corrente per avere un innesco certo) |
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| Qui un video di un circuito dimmer con TRIAC e controllo di fase. |
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| {{vimeo>400524751}} |
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