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--- potenza [2020/03/21 17:06] – [TRIAC e DIAC] admin
+++ potenza [2020/03/29 20:55] – [Transistor] admin
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 Gli **IGBT** (//insulated gate bipolar transistor//) sono un particolare tipo di transistor che combina un MOSFET in ingresso e un BJT in uscita. Questa soluzione sta soppiantando le precedenti tecnologie nelle applicazioni in commutazione per potenze medio-alte (inverter, alimentatori) perché offre sia i vantaggi dei BJT (tensioni di lavoro elevate e bassa V<sub>CE</sub>) che quelli dei MOSFET (alta impedenza di ingresso e facilità di pilotaggio).
+Vedi anche:
+  * [[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-6/igbts/|pagina di All About Circuits]] sugli IGBT e l'interessante confronto con BJT e MOS
+  * [[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-6/igbts/|questa]] e [[https://www.vincenzov.net/tutorial/elettronica-di-potenza/IGBT-reale.htm|questa]] pagina del sito di Vincenzo Villa sugli IGBT e il loro pilotaggio (vedere anche il [[https://www.vincenzov.net/datasheet/STGE200NB60S.pdf|datasheet]] dell'IGBT di cui si parla)
 ===== Tiristori =====
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   * una resistenza posta tra DIAC e gate del TRIAC migliora le prestazioni (limita la corrente e prolunga l'impulso di corrente per avere un innesco certo)
+Qui un video di un circuito dimmer con TRIAC e controllo di fase.
+{{vimeo>400524751}}
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 */
-Extra:
+==== Extra ====