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| potenza [2019/05/07 08:12] – [TRIAC e DIAC] admin | potenza [2020/03/18 09:28] – [Transistor] admin |
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| In entrambi i casi si ha una dissipazione di potenza sul componente calcolabile con: | In entrambi i casi si ha una dissipazione di potenza sul componente calcolabile con: |
| * `P_D=V_{CEsat}I_C` | * `P_D=V_{CEsat}I_C` |
| * `P_D=R_{on}I_{C}^2` | * `P_D=R_{on}I_{D}^2` |
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| Questa potenza è contenuta, perché i valori di V<sub>CEsat</sub> e R<sub>on</sub> sono molto bassi (meno di un Volt e meno di un Ohm per transistor di potenza), ma non trascurabile e va dissipata sotto forma di calore ceduto all'ambiente (facilitata se si installa un dissipatore)((vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/tp4/dissipatori|appunti di quarta]])). | Questa potenza è contenuta, perché i valori di V<sub>CEsat</sub> e R<sub>on</sub> sono molto bassi (meno di un Volt e meno di un Ohm per transistor di potenza), ma non trascurabile e va dissipata sotto forma di calore ceduto all'ambiente (facilitata se si installa un dissipatore)((vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/tp4/dissipatori|appunti di quarta]])). |
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| Extra: | Extra: |
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| * {{ ::simulazione-tiristori.zip |simulazioni Multisim}} con regolazione di fase per SCR e TRIAC | * {{ ::simulazione-tiristori.zip |simulazioni Multisim}} con regolazione di fase per SCR e TRIAC |
| * {{ ::powerthyristorapplicationnotes.pdf |Application note sui tiristori}} (in particolare da pag. 13, pag. 14 su come bastino angoli di conduzione tra 30° e 150°) | * {{ ::powerthyristorapplicationnotes.pdf |Application note sui tiristori}} (in particolare da pag. 13, pag. 14 su come bastino angoli di conduzione tra 30° e 150°) |
