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| potenza [2019/03/19 10:14] – [Transistor] admin | potenza [2019/03/19 10:22] – [Transistor] admin |
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| Questa potenza è contenuta, perché i valori di V<sub>CEsat</sub> e R<sub>on</sub> sono molto bassi (meno di un Volt e meno di un Ohm per transistor di potenza), ma non trascurabile e va dissipata sotto forma di calore ceduto all'ambiente (facilitata se si installa un dissipatore)((vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/tp4/dissipatori|appunti di quarta]])). | Questa potenza è contenuta, perché i valori di V<sub>CEsat</sub> e R<sub>on</sub> sono molto bassi (meno di un Volt e meno di un Ohm per transistor di potenza), ma non trascurabile e va dissipata sotto forma di calore ceduto all'ambiente (facilitata se si installa un dissipatore)((vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/tp4/dissipatori|appunti di quarta]])). |
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| Il pilotaggio dei transistor è abbastanza semplice e richiede piccole correnti, erogabili anche da porte logiche. | Il pilotaggio dei transistor è abbastanza semplice e richiede piccole correnti, erogabili anche da porte logiche. In entrambi casi con tensione nulla si ha lo stato OFF mentre per lo stato ON: |
| * per i BJT occorre dimensionare la resistenza R<sub>B</sub>, considerando la tensione di di comando e il carico, per portare il BJT in saturazione (vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/ee4/sezione_13a#saturazione_del_bjt_dalla_scheda_integrativa_13a1|appunti di elettronica di quarta]]) | * per i BJT occorre dimensionare la resistenza R<sub>B</sub>, considerando la tensione di comando e il carico, per portare il BJT in saturazione (vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/ee4/sezione_13a#saturazione_del_bjt_dalla_scheda_integrativa_13a1|appunti di elettronica di quarta]]) |
| * per per i MOSFET è più semplice: basta imporre una V<sub>GS</sub> maggiore di quella di soglia indicata nei datasheet (in genere 10 Volt, meno di 5V per i MOSFET logic-level) | * per per i MOSFET basta imporre una V<sub>GS</sub> maggiore di quella di soglia indicata nei datasheet (in genere 10 Volt, meno di 5V per i MOSFET logic-level) per avere piena conduzione |
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| I MOSFET sono molto utilizzato in questo campo perché: | I MOSFET sono molto utilizzati per pilotare carichi di potenza perché: |
| * sono facili da pilotare | * sono facili da pilotare |
| * non assorbono corrente a riposo (in commutazione occorre caricare e scaricare il gate) | * non assorbono corrente a riposo((in commutazione invece occorre caricare e scaricare il gate, a potenze elevate diventa problematico e può servire un driver per MOSFET)) |
| * sono più stabili nell'utilizzo (non c'è il fenomeno della fuga termica dei BJT) | * sono più stabili nell'utilizzo (non c'è il fenomeno della fuga termica dei BJT) |
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| I BJT di potenza hanno un guadagno in corrente h<sub>FE</sub> minore di quelli di segnale. Per pilotare correnti elevate con piccole correnti si può ricorrere ai BJT Darlington. Si tratta di due BJT con il collettore il comune e l'emettitore del primo collegato alla base del secondo. | I BJT di potenza hanno sempre un guadagno in corrente h<sub>FE</sub> minore di quelli di segnale (minore di 100). Per pilotare correnti elevate con piccole correnti si può ricorrere ai BJT **Darlington**. Si tratta di due BJT con il collettore il comune e l'emettitore del primo collegato alla base del secondo. |
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| {{::darlington.png|darlington}} | {{::darlington.png|darlington}} |
| Questa configurazione equivale ad un BJT con un guadagno che è il prodotto dei due guadagni e una V<sub>CEsat</sub> aumentata di 0,7 Volt (pari alla V<sub>BE</sub> del secondo transistor). | Questa configurazione equivale ad un BJT con un guadagno che è il prodotto dei due guadagni e una V<sub>CEsat</sub> aumentata di 0,7 Volt (pari alla V<sub>BE</sub> del secondo transistor). |
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| Gli IGBT (//insulated gate bipolar transistor//) sono un particolare tipo di transistor che combina un MOSFET in ingresso e un BJT in uscita. Questa soluzione sta soppiantando le precedenti tecnologie nelle applicazioni in commutazione per potenze medio-alte (inverter, alimentatori) perché offre sia i vantaggi dei BJT (tensioni di lavoro elevate e bassa V<sub>CE</sub>) che quelli dei MOSFET (alta impedenza di ingresso e facilità di pilotaggio). | Gli **IGBT** (//insulated gate bipolar transistor//) sono un particolare tipo di transistor che combina un MOSFET in ingresso e un BJT in uscita. Questa soluzione sta soppiantando le precedenti tecnologie nelle applicazioni in commutazione per potenze medio-alte (inverter, alimentatori) perché offre sia i vantaggi dei BJT (tensioni di lavoro elevate e bassa V<sub>CE</sub>) che quelli dei MOSFET (alta impedenza di ingresso e facilità di pilotaggio). |
| ===== Tiristori ===== | ===== Tiristori ===== |
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