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potenza

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potenza [2019/05/11 10:14] – [TRIAC e DIAC] adminpotenza [2020/03/19 16:47] – [SCR] admin
Linea 25: Linea 25:
 In entrambi i casi si ha una dissipazione di potenza sul componente calcolabile con: In entrambi i casi si ha una dissipazione di potenza sul componente calcolabile con:
   * `P_D=V_{CEsat}I_C`   * `P_D=V_{CEsat}I_C`
-  * `P_D=R_{on}I_{C}^2`+  * `P_D=R_{on}I_{D}^2`
  
 Questa potenza è contenuta, perché i valori di V<sub>CEsat</sub> e R<sub>on</sub> sono molto bassi (meno di un Volt e meno di un Ohm per transistor di potenza), ma non trascurabile e va dissipata sotto forma di calore ceduto all'ambiente (facilitata se si installa un dissipatore)((vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/tp4/dissipatori|appunti di quarta]])). Questa potenza è contenuta, perché i valori di V<sub>CEsat</sub> e R<sub>on</sub> sono molto bassi (meno di un Volt e meno di un Ohm per transistor di potenza), ma non trascurabile e va dissipata sotto forma di calore ceduto all'ambiente (facilitata se si installa un dissipatore)((vedi [[https://leonardocanducci.org/wiki/tp4/dissipatori|appunti di quarta]])).
Linea 79: Linea 79:
 {{::onde_scr.png|regolazione con SCR}} {{::onde_scr.png|regolazione con SCR}}
  
-L'impulso di gate, regolato e sincronizzato con la tensione di alimentazione con un apposito circuito di innesco, porta in conduzione l'SCR nella semionda positiva, parzializzando la tensione e regolando così la potenza al carico. Si chiama un:+L'impulso di gate, regolato e sincronizzato con la tensione di alimentazione con un apposito circuito di innesco, porta in conduzione l'SCR nella semionda positiva, parzializzando la tensione e regolando così la potenza al carico. Si chiama:
   * angolo di innesco, quello che corrisponde al ritardo dell'impulso di corrente   * angolo di innesco, quello che corrisponde al ritardo dell'impulso di corrente
   * angolo di conduzione, quello durante il quale l'SCR conduce   * angolo di conduzione, quello durante il quale l'SCR conduce
Linea 149: Linea 149:
 ===== Riferimenti ===== ===== Riferimenti =====
  
-  * sezione 18A del testo di elettronica di quarta (pilotaggio on-off di BJT e MOSFET, BJT darlington, controllo lineare e PWM+  * sezione 18A del testo di elettronica di quarta (pilotaggio on-off di BJT e MOSFET, BJT darlington, controllo lineare e PWM)
   * sezione 18C del testo di elettronica di quarta (SCR, TRIAC, DIAC e circuiti di innesco, simulazioni)   * sezione 18C del testo di elettronica di quarta (SCR, TRIAC, DIAC e circuiti di innesco, simulazioni)
   * unità 4 del modulo 7 del testo di TPA di quarta (regolazione con diodi e SCR in alternata, regolazione PWM in continua, transistor come interruttori, SCR, TRIAC, DIAC e circuiti di innesco)   * unità 4 del modulo 7 del testo di TPA di quarta (regolazione con diodi e SCR in alternata, regolazione PWM in continua, transistor come interruttori, SCR, TRIAC, DIAC e circuiti di innesco)
potenza.txt · Ultima modifica: 2024/03/12 08:28 da admin