Differenze
Queste sono le differenze tra la revisione selezionata e la versione attuale della pagina.
Entrambe le parti precedenti la revisioneRevisione precedente | Prossima revisioneEntrambe le parti successive la revisione |
ponteh [2023/02/08 11:38] – [Datasheet] admin | ponteh [2023/02/08 11:38] – [Risorse su MOSFET] admin |
---|
* [[https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=59460|AN sul pilotaggio del gate dei MOSFET di Toshiba]] con le varie soluzioni per il pilotaggio e differenze tra bootstrap e charge pump | * [[https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=59460|AN sul pilotaggio del gate dei MOSFET di Toshiba]] con le varie soluzioni per il pilotaggio e differenze tra bootstrap e charge pump |
* {{ ::slua618a-1.pdf | Application Note}} della TI su gate driving per MOSFET e IGBT con varie soluzioni, discrete e integrate di gate-driver (bootstrap a pag 30) | * {{ ::slua618a-1.pdf | Application Note}} della TI su gate driving per MOSFET e IGBT con varie soluzioni, discrete e integrate di gate-driver (bootstrap a pag 30) |
| * [[https://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf|Application Note sul circuito bootstrap]] di Texas Instruments |
* [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN-6076.pdf|AN di Onsemi]] sul progetto dei circuiti bootstrap per gate driver (utile riassunto a pagina 11) | * [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN-6076.pdf|AN di Onsemi]] sul progetto dei circuiti bootstrap per gate driver (utile riassunto a pagina 11) |
* [[https://www.analog.com/en/analog-dialogue/articles/isolated-gate-drivers-what-why-and-how.html|articolo di Analog Device]] sul perché servano i gate driver (push-pull più efficiente di transistor + resistore, più corrente -> commutazione più rapida -> meno perdite, funzionalità extra degli IC: level-shift, protezione da shoot-trhough, isolamento per sicurezza e NMOS high-side) | * [[https://www.analog.com/en/analog-dialogue/articles/isolated-gate-drivers-what-why-and-how.html|articolo di Analog Device]] sul perché servano i gate driver (push-pull più efficiente di transistor + resistore, più corrente -> commutazione più rapida -> meno perdite, funzionalità extra degli IC: level-shift, protezione da shoot-trhough, isolamento per sicurezza e NMOS high-side) |