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ponteh [2023/02/07 17:51] – [Osservazioni sparse sui MOSFET] admin | ponteh [2024/02/02 10:03] – [Datasheet] admin |
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* si mette una resistenza di pull-down sul gate per evitare commutazioni indesiderate se G risulta isolato | * si mette una resistenza di pull-down sul gate per evitare commutazioni indesiderate se G risulta isolato |
* si mette una resistenza in serie al gate per regolare la corrente e quindi i tempi di commutazione: bassa se si usa un driver, alta se pilotato da un microcontrollore (tempi lunghi e corrente bassa); serve anche a smorzare possibili oscillazioni dovute alla componente capacitiva del MOSFET e induttiva dei conduttori | * si mette una resistenza in serie al gate per regolare la corrente e quindi i tempi di commutazione: bassa se si usa un driver, alta se pilotato da un microcontrollore (tempi lunghi e corrente bassa); serve anche a smorzare possibili oscillazioni dovute alla componente capacitiva del MOSFET e induttiva dei conduttori |
* gate-driver: push-pull((NB sembra la stessa configurazione di un lato del ponte H (half-bridge) ma non lo è! Infatti i transistor NPN e PNP sono scambiati di posto e il funzionamento non è da switch ma da inseguitore di emettitore (buffer) e i BJT non lavorano in saturazione ma in zona lineare)) discreti a BJT o integrati dedicati (eventualmente con funzione booster o charge-pump per usare MOSFET a canale N anche come high-side switch) | * gate-driver: push-pull((NB sembra la stessa configurazione di un lato del ponte H (half-bridge) ma non lo è! Infatti i transistor NPN e PNP sono scambiati di posto e il funzionamento non è da switch ma da inseguitore di emettitore (buffer) e i BJT non lavorano in saturazione ma in zona lineare. Questa configurazione è chiamata anche totem pole)) discreti a BJT o integrati dedicati (eventualmente con funzione booster o charge-pump per usare MOSFET a canale N anche come high-side switch) |
* in corrispondenza di Vth il MOSFET comincia a condurre ma con una resistenza ancora elevata e perdite | * in corrispondenza di Vth il MOSFET comincia a condurre ma con una resistenza ancora elevata e perdite |
* il valore di VgsON per avere la piena conduzione si ricava nella riga di RdsON del datasheet | * il valore di VgsON per avere la piena conduzione si ricava nella riga di RdsON del datasheet |
* [[https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=59460|AN sul pilotaggio del gate dei MOSFET di Toshiba]] con le varie soluzioni per il pilotaggio e differenze tra bootstrap e charge pump | * [[https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=59460|AN sul pilotaggio del gate dei MOSFET di Toshiba]] con le varie soluzioni per il pilotaggio e differenze tra bootstrap e charge pump |
* {{ ::slua618a-1.pdf | Application Note}} della TI su gate driving per MOSFET e IGBT con varie soluzioni, discrete e integrate di gate-driver (bootstrap a pag 30) | * {{ ::slua618a-1.pdf | Application Note}} della TI su gate driving per MOSFET e IGBT con varie soluzioni, discrete e integrate di gate-driver (bootstrap a pag 30) |
| * [[https://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf|Application Note sul circuito bootstrap]] di Texas Instruments |
* [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN-6076.pdf|AN di Onsemi]] sul progetto dei circuiti bootstrap per gate driver (utile riassunto a pagina 11) | * [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN-6076.pdf|AN di Onsemi]] sul progetto dei circuiti bootstrap per gate driver (utile riassunto a pagina 11) |
* [[https://www.analog.com/en/analog-dialogue/articles/isolated-gate-drivers-what-why-and-how.html|articolo di Analog Device]] sul perché servano i gate driver (push-pull più efficiente di transistor + resistore, più corrente -> commutazione più rapida -> meno perdite, funzionalità extra degli IC: level-shift, protezione da shoot-trhough, isolamento per sicurezza e NMOS high-side) | * [[https://www.analog.com/en/analog-dialogue/articles/isolated-gate-drivers-what-why-and-how.html|articolo di Analog Device]] sul perché servano i gate driver (push-pull più efficiente di transistor + resistore, più corrente -> commutazione più rapida -> meno perdite, funzionalità extra degli IC: level-shift, protezione da shoot-trhough, isolamento per sicurezza e NMOS high-side) |
* {{ :nmos_irf530.pdf |NMOS IRF 530}} | * {{ :nmos_irf530.pdf |NMOS IRF 530}} |
* {{ :pmos_irf9530.pdf |PMOS IRF 9530}} | * {{ :pmos_irf9530.pdf |PMOS IRF 9530}} |
* [[https://www.ti.com/lit/ds/symlink/l293.pdf|Datasheet dell'L293D]] | * [[https://www.ti.com/lit/ds/symlink/l293.pdf|Datasheet dell'L293D]] e del driver alternativo [[https://www.ti.com/lit/ds/symlink/sn754410.pdf|SN754410]] |
| * [[https://www.infineon.com/dgdl/ir2104.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7c1c31671|datasheet]] del gate driver IR2104 (half-bridge driver DIP8 con bootstrap) e relativa [[https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-HV_Floating_MOS_Gate_Drivers-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c47de609d140a&redirId=114085|Application Note]] |
* {{ ::datasheet_motore_dc.pdf |motori DC di L03 (41V)}} | * {{ ::datasheet_motore_dc.pdf |motori DC di L03 (41V)}} |
* [[https://www.mfacomodrills.com/pdfs/RE385.pdf|altri motori presenti in L03 e L11 (12V)]] | * [[https://www.mfacomodrills.com/pdfs/RE385.pdf|altri motori presenti in L03 e L11 (12V)]] |