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Linea 12: Linea 12:
 Circuitalmente valgono le due relazioni: Circuitalmente valgono le due relazioni:
  
-$$I_E=I_B+I_C$$+`I_E=I_B+I_C`
  
-$$V_(CE)=V_(CB)+V_(BE)$$+`V_(CE)=V_(CB)+V_(BE)`
  
 I transistor sono tripoli quindi: I transistor sono tripoli quindi:
Linea 55: Linea 55:
 La **zona attiva lineare** (//​active//​) è quella al centro della caratteristica dove le curve sono rettilinee. In questa zona il valore di //​I<​sub>​C</​sub>//​ può essere considerato costante (non dipende da //​V<​sub>​CE</​sub>//​) e proporzionale a //​I<​sub>​B</​sub>//:​ La **zona attiva lineare** (//​active//​) è quella al centro della caratteristica dove le curve sono rettilinee. In questa zona il valore di //​I<​sub>​C</​sub>//​ può essere considerato costante (non dipende da //​V<​sub>​CE</​sub>//​) e proporzionale a //​I<​sub>​B</​sub>//:​
  
-$$I_C=h_(FE)I_B$$+`I_C=h_(FE)I_B`
  
 dove //​h<​sub>​FE</​sub>//​ è detto **guadagno di corrente statico** nella configurazione ad emettitore comune. dove //​h<​sub>​FE</​sub>//​ è detto **guadagno di corrente statico** nella configurazione ad emettitore comune.
Linea 63: Linea 63:
 La **zona di saturazione** (//​saturation//​) è la parte più a sinistra dove le curve si sovrappongono,​ //​I<​sub>​C</​sub>//​ non è costante e //​V<​sub>​CE</​sub>//​ è piccola (0,2÷0,4 V). Il valore di //​I<​sub>​C</​sub>//​ non aumenta con //​I<​sub>​B</​sub>//​ e il suo valore è limitato da quello del punto di saturazione ideale (generatore equivalente in cortocircuito). In questa zona il comportamento del BJT è simile a quello di un cortocircuito o di un interruttore chiuso. La **zona di saturazione** (//​saturation//​) è la parte più a sinistra dove le curve si sovrappongono,​ //​I<​sub>​C</​sub>//​ non è costante e //​V<​sub>​CE</​sub>//​ è piccola (0,2÷0,4 V). Il valore di //​I<​sub>​C</​sub>//​ non aumenta con //​I<​sub>​B</​sub>//​ e il suo valore è limitato da quello del punto di saturazione ideale (generatore equivalente in cortocircuito). In questa zona il comportamento del BJT è simile a quello di un cortocircuito o di un interruttore chiuso.
  
-la **zona di interdizione** (//​cutoff//​) è quella corrispondente alla curva con //​I<​sub>​B</​sub>​ = 0//. La corrente //​I<​sub>​C</​sub>//​ risulta trascurabile (è presente una corrente di fuga //​I<​sub>​CE0</​sub>//​) e il comportamento del BJT è simile a quello di una resistenza infinita o di un interruttore aperto. Il punto di interdizione ideale coincide col punto di funzionamento a vuoto del generatore equlivalente. ​+la **zona di interdizione** (//​cutoff//​) è quella corrispondente alla curva con //​I<​sub>​B</​sub>​ = 0//. La corrente //​I<​sub>​C</​sub>//​ risulta trascurabile (è presente una corrente di fuga //​I<​sub>​CEO</​sub>//​) e il comportamento del BJT è simile a quello di una resistenza infinita o di un interruttore aperto. Il punto di interdizione ideale coincide col punto di funzionamento a vuoto del generatore equlivalente. ​
  
 Un transistor funziona **in commutazione** quando viene utlizzato solo nelle zone di saturazione e interdizione. Il funzionamento ON-OFF è tipico delle applicazioni elettroniche digitali - caratterizzate da due stati logici - o per pilotare carichi di potenza - dove la potenza dissipata dal transistor è trascurabile perché la corrente (OFF) o la tensione (ON) valgono zero. Un transistor funziona **in commutazione** quando viene utlizzato solo nelle zone di saturazione e interdizione. Il funzionamento ON-OFF è tipico delle applicazioni elettroniche digitali - caratterizzate da due stati logici - o per pilotare carichi di potenza - dove la potenza dissipata dal transistor è trascurabile perché la corrente (OFF) o la tensione (ON) valgono zero.
Linea 86: Linea 86:
 Nello studio della polarizzazione si assumono h<​sub>​FE</​sub>​ e V<​sub>​BE</​sub>​ costanti e si utilizzano le relazioni già viste: Nello studio della polarizzazione si assumono h<​sub>​FE</​sub>​ e V<​sub>​BE</​sub>​ costanti e si utilizzano le relazioni già viste:
  
-$$I_E=I_C+I_B$$((Spesso si può porre: ​$$I_E~~I_C$$))$$ quad , quad I_C=h_(FE)I_B quad , quad V_(CE)=V_(CB)+V_(BE)$$+`I_E=I_C+I_B`((Spesso si può porre: ​`I_E~~I_C`))quad , quad I_C=h_(FE)I_B quad , quad V_(CE)=V_(CB)+V_(BE)`
 ==== Polarizzazione a emettitore comune ==== ==== Polarizzazione a emettitore comune ====
  
 Considerato il circuito di //figura 8// per la maglia di ingresso e per quella di uscita valgono le relazioni: Considerato il circuito di //figura 8// per la maglia di ingresso e per quella di uscita valgono le relazioni:
  
-$$V_(BB)=R_B I_B + V_(BE)$$+`V_(BB)=R_B I_B + V_(BE)`
  
-$$V_(C\C)=R_C I_C + V_(CE)$$+`V_(C\C)=R_C I_C + V_(CE)`
  
 ==== Polarizzazione automatica ==== ==== Polarizzazione automatica ====
Linea 99: Linea 99:
 Il circuito di polarizzazione automatica mostrato in //figura 10// si distingue dal precedente per la resistenza di emettitore R<​sub>​E</​sub>​. Questa resistenza introduce una **retroazione negativa** che ha l'​effetto di **stabilizzare il punto di funzionamento a riposo rispetto alle variazioni dei parametri** tipiche dei transistor (//​h<​sub>​FE</​sub>,​ V<​sub>​BE</​sub>//​)((variazioni dovute a tolleranze costruttive e alla temperatura)). Infatti vale: Il circuito di polarizzazione automatica mostrato in //figura 10// si distingue dal precedente per la resistenza di emettitore R<​sub>​E</​sub>​. Questa resistenza introduce una **retroazione negativa** che ha l'​effetto di **stabilizzare il punto di funzionamento a riposo rispetto alle variazioni dei parametri** tipiche dei transistor (//​h<​sub>​FE</​sub>,​ V<​sub>​BE</​sub>//​)((variazioni dovute a tolleranze costruttive e alla temperatura)). Infatti vale:
  
-$$I_B=(V_(BB)-V_(BE)-R_E I_E)/R_B$$+`I_B=(V_(BB)-V_(BE)-R_E I_E)/R_B`
  
 e un eventuale aumento della corrente I<​sub>​C</​sub>​ viene compensato da una diminuzione della I<​sub>​B</​sub>​ per la maggiore //cdt// su R<​sub>​E</​sub>​ (lo stesso vale se si ha una diminuzione). Per dimensionare la resistenza di emettitore si usano le formule pratiche: e un eventuale aumento della corrente I<​sub>​C</​sub>​ viene compensato da una diminuzione della I<​sub>​B</​sub>​ per la maggiore //cdt// su R<​sub>​E</​sub>​ (lo stesso vale se si ha una diminuzione). Per dimensionare la resistenza di emettitore si usano le formule pratiche:
  
-$$V_(RE)=R_E I_E = 1/10 V_(C\C) quad , quad R_B/R_E = 20$$+`V_(RE)=R_E I_E = 1/10 V_(C\C) quad , quad R_B/R_E = 20`
  
 La //figura 12// mostra un circuito di polarizzazione automatica con alimentazione singola dove la resistenza R<​sub>​B</​sub>​ è collegata a V<​sub>​CC</​sub>​. A questo circuito è preferibile quello con partitore di base di //figura 13// che permette di scegliere a piacere sia il valore di R<​sub>​E</​sub>​ che quello di R<​sub>​B</​sub>​ ((i valori di R<​sub>​B</​sub>​ e V<​sub>​BB</​sub>​ vanno calcolati con Thevenin)). La //figura 12// mostra un circuito di polarizzazione automatica con alimentazione singola dove la resistenza R<​sub>​B</​sub>​ è collegata a V<​sub>​CC</​sub>​. A questo circuito è preferibile quello con partitore di base di //figura 13// che permette di scegliere a piacere sia il valore di R<​sub>​E</​sub>​ che quello di R<​sub>​B</​sub>​ ((i valori di R<​sub>​B</​sub>​ e V<​sub>​BB</​sub>​ vanno calcolati con Thevenin)).
Linea 111: Linea 111:
 La condizione per verificare se un BJT è in saturazione è: La condizione per verificare se un BJT è in saturazione è:
  
-$$I_B>​=(I_(CMAX))/​(h_(FEmin))$$ +`I_B>​=(I_(CMAX))/​(h_(FEmin))
  
-dove $$I_(CMAX)=V_(C\C)/​R_C$$ ((in alternativa ​$$I_(CMAX)=(V_(C\C)-V_(CEsat)\)/​R_C$$ )) è la corrente corrispondente al punto di saturazione ideale e $$h_(FEmin)$$ è il valore minimo dichiarato dal costruttore.+dove `I_(CMAX)=V_(C\C)/​R_C((in alternativa ​`I_(CMAX)=(V_(C\C)-V_(CEsat)\)/​R_C)) è la corrente corrispondente al punto di saturazione ideale e `h_(FEmin)è il valore minimo dichiarato dal costruttore.
  
 Altri modi per escludere che il transistor sia in saturazione sono: Altri modi per escludere che il transistor sia in saturazione sono:
Linea 150: Linea 150:
  
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sezione_13a.txt · Ultima modifica: 2016/09/06 14:54 (modifica esterna)