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| fet [2017/05/16 16:27] – [I transistor ad effetto di campo] admin | fet [2021/02/21 17:28] – [Struttura e funzionamento] admin |
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| Le due famiglie principali di transistor FET sono: | Le due famiglie principali di transistor FET sono: |
| * i JFET (//junction FET//) a giunzione | * i JFET (//junction FET//) a giunzione |
| * i MOSFET o MOS (//metallic-oxide-semiconductor FET//) a metallo-ossido-semiconduttore, che possono essere di tipo //enhancement// e //depletion// | * i MOSFET o MOS (//metal-oxide-semiconductor FET//) a metallo-ossido-semiconduttore, che possono essere di tipo //enhancement// e //depletion// |
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| Come avviene per i BJT anche i FET sono disponibili in due varianti con portatori di carica di tipo diverso: quelli a canale N e quelli a canale P. Di seguito, per semplicità, faremo sempre riferimento ai FET a canale N. | Come avviene per i BJT anche i FET sono disponibili in due varianti con portatori di carica di tipo diverso: quelli a canale N e quelli a canale P. Di seguito, per semplicità, faremo sempre riferimento ai FET a canale N. |
| Fra gate è source è dunque presente una giunzione //pn// che, nel normale funzionamento del JFET, deve essere polarizzata inversamente (V<sub>GS</sub> ≤ 0). | Fra gate è source è dunque presente una giunzione //pn// che, nel normale funzionamento del JFET, deve essere polarizzata inversamente (V<sub>GS</sub> ≤ 0). |
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| Per comprendere il funzionamento del JFET supponiamo inizialmente che V<sub>GS</sub> sia zero. Se applichiamo una tensione V<sub>DS</sub> tra drain e source circolerà una corrente I<sub>D</sub> nel canale. Aumentando la V<sub>DS</sub> la corrente I<sub>D</sub> aumenta e il comportamento del JFET è resistivo. Tuttavia si verifica un altro fenomeno: nel canale si forma una zona di svuotamento (grigia in figura) dovuta alla polarizzazione inversa della giunzione, più pronunciata dal lato del drain e con un estensione crescente al crescere di V<sub>DS</sub>. La zona di svuotamento restringe il canale attraverso cui circola la I<sub>D</sub> e oltre una certa soglia di V<sub>DS</sub> si verifica lo **strozzamento** del canale (//pinch-off//) che impedisce alla corrente di aumentare; il JFET è in saturazione. Quando è presente una V<sub>GS</sub> (negativa) la zona di svuotamento si forma anche con V<sub>DS</sub> = 0 con la conseguenza che il JFET offre maggiore resistenza ed entra in saturazione prima. | Per comprendere il funzionamento del JFET supponiamo inizialmente che V<sub>GS</sub> sia zero. Se applichiamo una tensione V<sub>DS</sub> tra drain e source circolerà una corrente I<sub>D</sub> nel canale. Aumentando la V<sub>DS</sub> la corrente I<sub>D</sub> aumenta e il comportamento del JFET è resistivo. Tuttavia si verifica un altro fenomeno: nel canale si forma una zona di svuotamento (grigia in figura) dovuta alla polarizzazione inversa della giunzione, più pronunciata dal lato del drain e con un estensione crescente al crescere di V<sub>DS</sub> (gate e source sono allo stesso potenziale). La zona di svuotamento restringe il canale attraverso cui circola la I<sub>D</sub> e oltre una certa soglia di V<sub>DS</sub> si verifica lo **strozzamento** del canale (//pinch-off//) che impedisce alla corrente di aumentare; il JFET è in saturazione. Quando è presente una V<sub>GS</sub> (negativa) la zona di svuotamento si forma anche con V<sub>DS</sub> = 0 con la conseguenza che il JFET offre maggiore resistenza ed entra in saturazione prima. |
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| ==== Caratteristiche ==== | ==== Caratteristiche ==== |
