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@@ Linea 10: / Linea 10: @@
 Le due famiglie principali di transistor FET sono:
   * i JFET (//junction FET//) a giunzione
-  * i MOSFET o MOS (//metallic-oxide-semiconductor FET//) a metallo-ossido-semiconduttore, che possono essere di tipo //enhancement// e //depletion//
+  * i MOSFET o MOS (//metal-oxide-semiconductor FET//) a metallo-ossido-semiconduttore, che possono essere di tipo //enhancement// e //depletion//
 Come avviene per i BJT anche i FET sono disponibili in due varianti con portatori di carica di tipo diverso: quelli a canale N e quelli a canale P. Di seguito, per semplicità, faremo sempre riferimento ai FET a canale N.
@@ Linea 16: / Linea 16: @@
 I tre terminali dei transistor ad effetto di campo sono chiamati: **source**, **drain** e **gate**. Nei FET la corrente scorre in un //canale// fra i terminali di source e drain e il suo flusso è controllato dalla tensione applicata al terminale di gate.
-La figura seguente mostra i simboli dei JFET, dei MOS enhancement e dei MOS depletion nelle due varianti a canale //n// e //p//.
+La figura seguente mostra i simboli dei JFET, dei MOS enhancement e dei MOS depletion nelle due varianti a canale //n// e //p//((le frecce nei vari simboli indicano il verso della giunzione che comprende il canale - canale/gate nei JFET, canale/substrato nei MOS - e punta da P a N)).
 {{:fet:jfet-fig13.png|Simboli di JFET e MOSFET}}