Appunti di Elettronica ed Elettrotecnica - classe quarta

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fet [2016/02/10 14:53] – [Caratteristiche] adminfet [2018/03/09 09:28] – [I transistor ad effetto di campo] admin
Linea 10: Linea 10:
 Le due famiglie principali di transistor FET sono: Le due famiglie principali di transistor FET sono:
   * i JFET (//junction FET//) a giunzione   * i JFET (//junction FET//) a giunzione
-  * i MOSFET o MOS (//metallic-oxide-semiconductor FET//) a metallo-ossido-semiconduttore, che possono essere di tipo //enhancement// e //depletion//+  * i MOSFET o MOS (//metal-oxide-semiconductor FET//) a metallo-ossido-semiconduttore, che possono essere di tipo //enhancement// e //depletion//
  
 Come avviene per i BJT anche i FET sono disponibili in due varianti con portatori di carica di tipo diverso: quelli a canale N e quelli a canale P. Di seguito, per semplicità, faremo sempre riferimento ai FET a canale N. Come avviene per i BJT anche i FET sono disponibili in due varianti con portatori di carica di tipo diverso: quelli a canale N e quelli a canale P. Di seguito, per semplicità, faremo sempre riferimento ai FET a canale N.
Linea 16: Linea 16:
 I tre terminali dei transistor ad effetto di campo sono chiamati: **source**, **drain** e **gate**. Nei FET la corrente scorre in un //canale// fra i terminali di source e drain e il suo flusso è controllato dalla tensione applicata al terminale di gate. I tre terminali dei transistor ad effetto di campo sono chiamati: **source**, **drain** e **gate**. Nei FET la corrente scorre in un //canale// fra i terminali di source e drain e il suo flusso è controllato dalla tensione applicata al terminale di gate.
  
-La figura seguente mostra i simboli dei JFET, dei MOS enhancement e dei MOS depletion nelle due varianti a canale //n// e //p//. +La figura seguente mostra i simboli dei JFET, dei MOS enhancement e dei MOS depletion nelle due varianti a canale //n// e //p//((le frecce nei vari simboli indicano il verso della giunzione che comprende il canale - canale/gate nei JFET, canale/substrato nei MOS - e punta da P a N)). 
  
 {{:fet:jfet-fig13.png|Simboli di JFET e MOSFET}} {{:fet:jfet-fig13.png|Simboli di JFET e MOSFET}}
Linea 22: Linea 22:
 In tutti i casi vale sempre: In tutti i casi vale sempre:
  
-$$I_D=I_S$$+`I_D=I_S`
  
 ===== I JFET ===== ===== I JFET =====
Linea 57: Linea 57:
 La relazione che permette di calcolare il valore della V<sub>DS</sub> alla quale avviene lo strozzamento è: La relazione che permette di calcolare il valore della V<sub>DS</sub> alla quale avviene lo strozzamento è:
  
-$$V_(DS_(P))=V_P - V_(GS)$$+`V_(DS_(P))=V_P - V_(GS)`
  
 Dove V<sub>P</sub> è la tensione di pinch-off quando V<sub>GS</sub> vale zero riportata nei data sheet. Dove V<sub>P</sub> è la tensione di pinch-off quando V<sub>GS</sub> vale zero riportata nei data sheet.
Linea 99: Linea 99:
 Osserviamo che: Osserviamo che:
   * il gate è isolato   * il gate è isolato
-  * il parametro principale è la transconduttanza $$g_m = (i_d) / (v_(gs)) |_(v_(ds)=0)$$+  * il parametro principale è la transconduttanza `g_m = (i_d) / (v_(gs)) |_(v_(ds)=0)`
   * il parametro //r<sub>d</sub>// è una resistenza differenziale che, in prima approssimazione, può essere considerata infinita (generatore di corrente ideale)   * il parametro //r<sub>d</sub>// è una resistenza differenziale che, in prima approssimazione, può essere considerata infinita (generatore di corrente ideale)
  
Linea 170: Linea 170:
  
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fet.txt · Ultima modifica: 2021/02/21 17:57 da admin