Appunti di Elettronica ed Elettrotecnica - classe quarta

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fet [2016/02/09 14:56] – [Caratteristiche] adminfet [2017/05/16 16:27] – [I transistor ad effetto di campo] admin
Linea 16: Linea 16:
 I tre terminali dei transistor ad effetto di campo sono chiamati: **source**, **drain** e **gate**. Nei FET la corrente scorre in un //canale// fra i terminali di source e drain e il suo flusso è controllato dalla tensione applicata al terminale di gate. I tre terminali dei transistor ad effetto di campo sono chiamati: **source**, **drain** e **gate**. Nei FET la corrente scorre in un //canale// fra i terminali di source e drain e il suo flusso è controllato dalla tensione applicata al terminale di gate.
  
-La figura seguente mostra i simboli dei JFET, dei MOS enhancement e dei MOS depletion nelle due varianti a canale //n// e //p//. +La figura seguente mostra i simboli dei JFET, dei MOS enhancement e dei MOS depletion nelle due varianti a canale //n// e //p//((le frecce nei vari simboli indicano il verso della giunzione che comprende il canale - canale/gate nei JFET, canale/substrato nei MOS - e punta da P a N)). 
  
 {{:fet:jfet-fig13.png|Simboli di JFET e MOSFET}} {{:fet:jfet-fig13.png|Simboli di JFET e MOSFET}}
Linea 22: Linea 22:
 In tutti i casi vale sempre: In tutti i casi vale sempre:
  
-$$I_D=I_S$$+`I_D=I_S`
  
 ===== I JFET ===== ===== I JFET =====
Linea 57: Linea 57:
 La relazione che permette di calcolare il valore della V<sub>DS</sub> alla quale avviene lo strozzamento è: La relazione che permette di calcolare il valore della V<sub>DS</sub> alla quale avviene lo strozzamento è:
  
-$$V_(DS_(P))=V_P - V_(GS)$$+`V_(DS_(P))=V_P - V_(GS)`
  
 Dove V<sub>P</sub> è la tensione di pinch-off quando V<sub>GS</sub> vale zero riportata nei data sheet. Dove V<sub>P</sub> è la tensione di pinch-off quando V<sub>GS</sub> vale zero riportata nei data sheet.
Linea 64: Linea 64:
  
 A questo punto è possibile osservare la caratteristica di trasferimento (figura sopra), valida per il funzionamento in saturazione, e osservare che: A questo punto è possibile osservare la caratteristica di trasferimento (figura sopra), valida per il funzionamento in saturazione, e osservare che:
-  * il JFET è interdetto se V<sub>GS</sub> è uguale a V<sub>GS(off)</sub> = V<sub>P</sub>((per la formula vista sopra quando queste due tensioni coincidono lo strozzamento avviene in corrispondenza dell'origine e non può circolare corrente)) +  * il JFET è interdetto se V<sub>GS</sub> è maggiore o uguale a V<sub>GS(off)</sub> = V<sub>P</sub>((per la formula vista sopra quando queste due tensioni coincidono lo strozzamento avviene in corrispondenza dell'origine e non può circolare corrente)) 
-  * il massimo valore di corrente in condizione di saturazione si ha quando V<sub>GS</sub> vale zero ed è indicato con I<sub>DSS</sub> nelle due caratteristiche+  * il massimo valore di corrente in condizione di saturazione si ha quando V<sub>GS</sub> vale zero ed è indicato con I<sub>DSS</sub> nelle due caratteristiche((le due //S// stanno per //saturation// e //shorted//, cioè con gate e source cortocircuitati, ossia per V<sub>GS</sub> = 0))
   * in corrispondenza di V<sub>GS</sub> = 0 e I<sub>DSS</sub> si ha la piena conduzione; in queste condizioni, se si opera nella zona resistiva, l'inverso della pendenza della caratteristica di uscita rappresenta la resistenza r<sub>DS(on)</sub> esibita dal JFET nello stato ON quando è usato in commutazione   * in corrispondenza di V<sub>GS</sub> = 0 e I<sub>DSS</sub> si ha la piena conduzione; in queste condizioni, se si opera nella zona resistiva, l'inverso della pendenza della caratteristica di uscita rappresenta la resistenza r<sub>DS(on)</sub> esibita dal JFET nello stato ON quando è usato in commutazione
 ==== Funzionamento in commutazione ==== ==== Funzionamento in commutazione ====
Linea 99: Linea 99:
 Osserviamo che: Osserviamo che:
   * il gate è isolato   * il gate è isolato
-  * il parametro principale è la transconduttanza $$g_m = (i_d) / (v_(gs)) |_(v_(ds)=0)$$+  * il parametro principale è la transconduttanza `g_m = (i_d) / (v_(gs)) |_(v_(ds)=0)`
   * il parametro //r<sub>d</sub>// è una resistenza differenziale che, in prima approssimazione, può essere considerata infinita (generatore di corrente ideale)   * il parametro //r<sub>d</sub>// è una resistenza differenziale che, in prima approssimazione, può essere considerata infinita (generatore di corrente ideale)
  
Linea 140: Linea 140:
  
 La figura sopra rappresenta la caratteristica di trasferimento, questa volta posta nel primo quadrante, dove compaiono: La figura sopra rappresenta la caratteristica di trasferimento, questa volta posta nel primo quadrante, dove compaiono:
-  * la tensione di soglia V<sub>GS(th)</sub> (indicata anche come V<sub>T</sub>) oltre la quale il MOS risulta interdetto+  * la tensione di soglia V<sub>GS(th)</sub> (indicata anche come V<sub>T</sub>) oltre la quale il MOS passa dall'interdizione alla conduzione
   * la corrente I<sub>DSS</sub>, di valore trascurabile, che circola quando V<sub>GS</sub> vale zero   * la corrente I<sub>DSS</sub>, di valore trascurabile, che circola quando V<sub>GS</sub> vale zero
 Nei data sheet è indicata anche una I<sub>D(on)</sub> che circola in in piena conduzione in corrispondenza di un determinato valore di V<sub>GS</sub>.  Nei data sheet è indicata anche una I<sub>D(on)</sub> che circola in in piena conduzione in corrispondenza di un determinato valore di V<sub>GS</sub>. 
Linea 170: Linea 170:
  
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fet.txt · Ultima modifica: 2021/02/21 17:57 da admin