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fet [2016/02/09 14:52] – [Caratteristiche] admin | fet [2016/02/09 15:14] – [Caratteristiche] admin |
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* la saturazione del JFET, indicata dalla linea tratteggiata, avviene per valori via via minori di V<sub>DS</sub> all'aumentare (in modulo) di V<sub>GS</sub> | * la saturazione del JFET, indicata dalla linea tratteggiata, avviene per valori via via minori di V<sub>DS</sub> all'aumentare (in modulo) di V<sub>GS</sub> |
* a sinistra del tratteggio è presente una **zona resistiva** dove il JFET si comporta da resistenza variabile il cui valore dipende dalla tensione V<sub>GS</sub> (si veda la figura sotto che rappresenta un ingrandimento della caratteristica nell'origine) | * a sinistra del tratteggio è presente una **zona resistiva** dove il JFET si comporta da resistenza variabile il cui valore dipende dalla tensione V<sub>GS</sub> (si veda la figura sotto che rappresenta un ingrandimento della caratteristica nell'origine) |
* a destra di V<sub>P</sub> si trova la **zona di saturazione** a **corrente costante** dove il valore di I<sub>D</sub> dipende da V<sub>GS</sub> e non da V<sub>DS</sub> (NB nei BJT la saturazione è tutt'altra cosa!((qui si intende che I<sub>D</sub> non aumenta più al crescere di V<sub>DS</sub>, nei BJT che la I<sub>C</sub> non aumenta più al crescere di I<sub>B</sub>)) ) | * a destra di V<sub>P</sub> si trova la **zona di saturazione** a **corrente costante** dove il valore di I<sub>D</sub> dipende da V<sub>GS</sub> e non da V<sub>DS</sub> (**NB** nei BJT la saturazione è tutt'altra cosa!((qui si intende che I<sub>D</sub> non aumenta più al crescere di V<sub>DS</sub>, nei BJT che la I<sub>C</sub> non aumenta più al crescere di I<sub>B</sub>)) ) |
* per valori sufficientemente elevati di V<sub>GS</sub> lo strozzamento avviene già a V<sub>DS</sub> = 0 e non può circolare corrente; il JFET è **interdetto** | * per valori sufficientemente elevati di V<sub>GS</sub> lo strozzamento avviene già a V<sub>DS</sub> = 0 e non può circolare corrente; il JFET è **interdetto** |
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{{:fet:fig14a.png|Caratteristica di trasferimento}} | {{:fet:fig14a.png|Caratteristica di trasferimento}} |
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A questo punto è possibile osservare la caratteristica di trasferimento (figura sopra) e osservare che: | A questo punto è possibile osservare la caratteristica di trasferimento (figura sopra), valida per il funzionamento in saturazione, e osservare che: |
* il JFET è interdetto se V<sub>GS</sub> è uguale a V<sub>GS(off)</sub> = V<sub>P</sub>((per la formula vista sopra quando queste due tensioni coincidono lo strozzamento avviene in corrispondenza dell'origine e non può circolare corrente)) | * il JFET è interdetto se V<sub>GS</sub> è maggiore o uguale a V<sub>GS(off)</sub> = V<sub>P</sub>((per la formula vista sopra quando queste due tensioni coincidono lo strozzamento avviene in corrispondenza dell'origine e non può circolare corrente)) |
* il massimo valore di corrente in condizione di saturazione si ha quando V<sub>GS</sub> vale zero ed è indicato con I<sub>DSS</sub> nelle due caratteristiche | * il massimo valore di corrente in condizione di saturazione si ha quando V<sub>GS</sub> vale zero ed è indicato con I<sub>DSS</sub> nelle due caratteristiche((le due //S// stanno per //saturation// e //shorted//, cioè con gate e source cortocircuitati, ossia per V<sub>GS</sub> = 0)) |
* in corrispondenza di V<sub>GS</sub> = 0 e I<sub>DSS</sub> si ha la piena conduzione; in queste condizioni, se si opera nella zona resistiva, l'inverso della pendenza della caratteristica di uscita rappresenta la resistenza r<sub>DS(on)</sub> esibita dal JFET nello stato ON quando è usato in commutazione | * in corrispondenza di V<sub>GS</sub> = 0 e I<sub>DSS</sub> si ha la piena conduzione; in queste condizioni, se si opera nella zona resistiva, l'inverso della pendenza della caratteristica di uscita rappresenta la resistenza r<sub>DS(on)</sub> esibita dal JFET nello stato ON quando è usato in commutazione |
==== Funzionamento in commutazione ==== | ==== Funzionamento in commutazione ==== |